Technologie přípravy vícedimenzionální fotonické struktury

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F19%3A43956626" target="_blank" >RIV/49777513:23640/19:43956626 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Technologie přípravy vícedimenzionální fotonické struktury

Popis výsledku v původním jazyce

Tato technologie využívá v prvním kroku metodu přípravy tenkých vrstev PECVD („Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition“) pro vytvoření superstruktur a-Si/a-SiNx a ve druhém kroku jejich následné žíhání ve vakuu až do teploty 1100°C pro vytvoření změn ve struktuře (tvorba křemíkových nanokrystalů v původně amorfních křemíkových subvrstvách) vlivem rekrystalizace. Velikost křemíkových nanokrystalů je dána jednak tloušťkou subvrstev v superstruktuře, jednak teplotou žíhání. Výsledky byly ověřeny rentgenovou difrakcí, transmisní elektronovou mikroskopií a Ramanovou mikroskopií, UV-Vis spektroskopií a elipsometrií, které potvrdily výskyt nanokrystalů a řízené změny optických vlastností superstruktur.

Název v anglickém jazyce

TECHNOLOGY OF MULTI-DIMENSIONAL PHOTONIC STRUCTURES

Popis výsledku anglicky

In the first step, this technology uses a method for thin film preparation - PECVD (“Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition”) to deposit a-Si/a-SiNx superlattices, and subsequently in the second step vacuum annealing of these layers up to 1100 ° C to create structural changes (formation of silicon nanocrystals in originally amorphous silicon sublayers) due to the recrystallization. The size of silicon nanocrystals is driven by the sublayer thickness in the superlattice and by the annealing temperature. The results were verified by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, Raman microscopy, UV-Vis spectroscopy and ellipsometry, which confirmed the presence of nanocrystals and controlled changes in the optical properties of superstructures.

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/LO1402" target="_blank" >LO1402: CENTEM+</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu

NTC-OTE-19-001

Číselná identifikace

NTC-OTE-19-001

Technické parametry

V prvním kroku technologie přípravy fotonických struktur byly vytvořeny amorfní multivrstvy a-Si:H/a-SiNx:H technologií PECVD. Připravené multivrstvy o celkové tloušťce cca 500 nm byly amorfní. Ve druhém kroku technologie přípravy fotonických struktur byly multivrstvy žíhány ve vakuu až na teplotu 1100°C pro inicializaci růstu křemíkových nanokrystalů uvnitř křemíkových vrstviček. Velikost křemíkových nanokrystalů je řiditelná jednak tloušťkou subvrstvy v superstruktuře, jednak teplotou žíhání. Výsledky byly ověřeny rentgenovou difrakcí, transmisní elektronovou mikroskopií, Ramanovou mikroskopií, UV-Vis spektroskopií a elipsometrií, které potvrdily výskyt nanokrystalů a řízené změny v optických vlastnostech superstruktur. David Lávička, Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), Nové technologie - výzkumné centrum, Univerzitní 8, 306 14 Plzeň, 377634712, dlavicka@ntc.zcu.cz. Viz odkaz http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-19-001.html

Ekonomické parametry

Výsledek je využíván příjemcem Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), ekonomické parametry se neuvádí

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

49777513

Název vlastníka

Západočeská univerzita v Plzni

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

—