Bi ultra-thin crystalline films on InAs(111)A and B substrates: a combined core-level and valence-band angle-resolved and dichroic photoemission study
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F19%3A43958198" target="_blank" >RIV/49777513:23640/19:43958198 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1088/1367-2630/ab5c14" target="_blank" >https://doi.org/10.1088/1367-2630/ab5c14</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/ab5c14" target="_blank" >10.1088/1367-2630/ab5c14</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Bi ultra-thin crystalline films on InAs(111)A and B substrates: a combined core-level and valence-band angle-resolved and dichroic photoemission study
Popis výsledku v původním jazyce
The growth of Bi on both the In-terminated (A) face and the As-terminated (B) face of InAs(111) has been investigated by low-energy electron diffraction, scanning tunnelling microscopy, and photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. The changes upon Bi deposition of the In 4d and Bi 5d(5/2) photoelectron signals allow to get a comprehensive picture of the Bi/InAs(111) interface. From the early stage the Bi growth on the A face is epitaxial, contrary to that on the B face that proceeds via the formation of islands. Angle-resolved photoelectron spectra show that the electronic structure of a Bi deposit of approximate to 10 bi-layers on the A face is identical to that of bulk Bi, while more than approximate to 30 bi-layers are needed for the B face. Both bulk and surface electronic states observed are well accounted for by fully relativistic ab initio calculations performed using the one-step model of photoemission. These calculations are used to analyse the dichroic photoemission data recorded in the vicinity of the Fermi level around the (Gamma) over bar point of the Brillouin zone.
Název v anglickém jazyce
Bi ultra-thin crystalline films on InAs(111)A and B substrates: a combined core-level and valence-band angle-resolved and dichroic photoemission study
Popis výsledku anglicky
The growth of Bi on both the In-terminated (A) face and the As-terminated (B) face of InAs(111) has been investigated by low-energy electron diffraction, scanning tunnelling microscopy, and photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. The changes upon Bi deposition of the In 4d and Bi 5d(5/2) photoelectron signals allow to get a comprehensive picture of the Bi/InAs(111) interface. From the early stage the Bi growth on the A face is epitaxial, contrary to that on the B face that proceeds via the formation of islands. Angle-resolved photoelectron spectra show that the electronic structure of a Bi deposit of approximate to 10 bi-layers on the A face is identical to that of bulk Bi, while more than approximate to 30 bi-layers are needed for the B face. Both bulk and surface electronic states observed are well accounted for by fully relativistic ab initio calculations performed using the one-step model of photoemission. These calculations are used to analyse the dichroic photoemission data recorded in the vicinity of the Fermi level around the (Gamma) over bar point of the Brillouin zone.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EF15_003%2F0000358" target="_blank" >EF15_003/0000358: Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitami</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
NEW JOURNAL OF PHYSICS
ISSN
1367-2630
e-ISSN
—
Svazek periodika
21
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
"NESTRÁNKOVÁNO"
Kód UT WoS článku
000513663400011
EID výsledku v databázi Scopus
—