Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Bi ultra-thin crystalline films on InAs(111)A and B substrates: a combined core-level and valence-band angle-resolved and dichroic photoemission study

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F19%3A43958198" target="_blank" >RIV/49777513:23640/19:43958198 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1088/1367-2630/ab5c14" target="_blank" >https://doi.org/10.1088/1367-2630/ab5c14</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/ab5c14" target="_blank" >10.1088/1367-2630/ab5c14</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Bi ultra-thin crystalline films on InAs(111)A and B substrates: a combined core-level and valence-band angle-resolved and dichroic photoemission study

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The growth of Bi on both the In-terminated (A) face and the As-terminated (B) face of InAs(111) has been investigated by low-energy electron diffraction, scanning tunnelling microscopy, and photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. The changes upon Bi deposition of the In 4d and Bi 5d(5/2) photoelectron signals allow to get a comprehensive picture of the Bi/InAs(111) interface. From the early stage the Bi growth on the A face is epitaxial, contrary to that on the B face that proceeds via the formation of islands. Angle-resolved photoelectron spectra show that the electronic structure of a Bi deposit of approximate to 10 bi-layers on the A face is identical to that of bulk Bi, while more than approximate to 30 bi-layers are needed for the B face. Both bulk and surface electronic states observed are well accounted for by fully relativistic ab initio calculations performed using the one-step model of photoemission. These calculations are used to analyse the dichroic photoemission data recorded in the vicinity of the Fermi level around the (Gamma) over bar point of the Brillouin zone.

  • Název v anglickém jazyce

    Bi ultra-thin crystalline films on InAs(111)A and B substrates: a combined core-level and valence-band angle-resolved and dichroic photoemission study

  • Popis výsledku anglicky

    The growth of Bi on both the In-terminated (A) face and the As-terminated (B) face of InAs(111) has been investigated by low-energy electron diffraction, scanning tunnelling microscopy, and photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. The changes upon Bi deposition of the In 4d and Bi 5d(5/2) photoelectron signals allow to get a comprehensive picture of the Bi/InAs(111) interface. From the early stage the Bi growth on the A face is epitaxial, contrary to that on the B face that proceeds via the formation of islands. Angle-resolved photoelectron spectra show that the electronic structure of a Bi deposit of approximate to 10 bi-layers on the A face is identical to that of bulk Bi, while more than approximate to 30 bi-layers are needed for the B face. Both bulk and surface electronic states observed are well accounted for by fully relativistic ab initio calculations performed using the one-step model of photoemission. These calculations are used to analyse the dichroic photoemission data recorded in the vicinity of the Fermi level around the (Gamma) over bar point of the Brillouin zone.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EF15_003%2F0000358" target="_blank" >EF15_003/0000358: Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitami</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    NEW JOURNAL OF PHYSICS

  • ISSN

    1367-2630

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    21

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

    "NESTRÁNKOVÁNO"

  • Kód UT WoS článku

    000513663400011

  • EID výsledku v databázi Scopus