Investigation of the evolution of Bismuth layers deposited on silicon by MBE

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F24%3A43974765" target="_blank" >RIV/49777513:23640/24:43974765 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1063/5.0235350" target="_blank" >https://doi.org/10.1063/5.0235350</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/5.0235350" target="_blank" >10.1063/5.0235350</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation of the evolution of Bismuth layers deposited on silicon by MBE

Popis výsledku v původním jazyce

The research focuses on achieving epitaxial growth of Bi layers on Si(111) substrates, which is crucial for device integration in the semiconductor industry. Experimental results show that careful preparation of the Bi monolayer significantly affects the subsequent layer growth. The effect of annealing temperature on the structure of the monolayer is investigated. The deposition of Bi is also monitored by the transition from a seed monolayer to a Bi film with a preferred orientation in the (111) direction using high energy electron diffraction patterns. The study highlights the importance of precise monolayer preparation to achieve high quality Bi films on silicon substrates, which is essential for advancing applications in spintronics and topological materials.

Název v anglickém jazyce

Investigation of the evolution of Bismuth layers deposited on silicon by MBE

Popis výsledku anglicky

The research focuses on achieving epitaxial growth of Bi layers on Si(111) substrates, which is crucial for device integration in the semiconductor industry. Experimental results show that careful preparation of the Bi monolayer significantly affects the subsequent layer growth. The effect of annealing temperature on the structure of the monolayer is investigated. The deposition of Bi is also monitored by the transition from a seed monolayer to a Bi film with a preferred orientation in the (111) direction using high energy electron diffraction patterns. The study highlights the importance of precise monolayer preparation to achieve high quality Bi films on silicon substrates, which is essential for advancing applications in spintronics and topological materials.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20501 - Materials engineering

Projekt

<a href="/cs/project/EH22_008%2F0004634" target="_blank" >EH22_008/0004634: Strojní inženýrství biologických a bioinspirovaných systémů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

AIP Conference Proceedings: Applied Physics of Condensed Matter (APCOM 2024)

ISBN

978-0-7354-5060-8

ISSN

0094-243X

e-ISSN

1551-7616

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

AIP Publishing

Místo vydání

Štrbské Pleso

Místo konání akce

Štrbské Pleso

Datum konání akce

19. 6. 2024

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—