Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Bismuth Films Deposited by Molecular Beam Epitaxy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F24%3A43974776" target="_blank" >RIV/49777513:23640/24:43974776 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1063/5.0188562" target="_blank" >https://doi.org/10.1063/5.0188562</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/5.0188562" target="_blank" >10.1063/5.0188562</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Bismuth Films Deposited by Molecular Beam Epitaxy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Bismuth is a material with some interesting physical properties. It exhibits strong spin-orbit coupling and is also the basis of several topological insulators. The most important for applications is the (111) Bi surface. The aim of this work was to prepare Bi films on Si(111) substrates. We present a combination of substrate preparation technique and two-step deposition technique based on molecular beam epitaxy, which allowed us to achieve epitaxial growth of Bi. The final film exhibited a strong preferred orientation in the (111) direction confirmed by X-Ray diffraction and Reflection High Energy Electron Diffraction patterns and a smooth surface with low roughness confirmed by scanning electron microscopy.

  • Název v anglickém jazyce

    Bismuth Films Deposited by Molecular Beam Epitaxy

  • Popis výsledku anglicky

    Bismuth is a material with some interesting physical properties. It exhibits strong spin-orbit coupling and is also the basis of several topological insulators. The most important for applications is the (111) Bi surface. The aim of this work was to prepare Bi films on Si(111) substrates. We present a combination of substrate preparation technique and two-step deposition technique based on molecular beam epitaxy, which allowed us to achieve epitaxial growth of Bi. The final film exhibited a strong preferred orientation in the (111) direction confirmed by X-Ray diffraction and Reflection High Energy Electron Diffraction patterns and a smooth surface with low roughness confirmed by scanning electron microscopy.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EH22_008%2F0004634" target="_blank" >EH22_008/0004634: Strojní inženýrství biologických a bioinspirovaných systémů</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2024

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    AIP Conference Proceedings: Applied Physics of Condensed Matter (APCOM 2023)

  • ISBN

    978-0-7354-4805-6

  • ISSN

    0094-243X

  • e-ISSN

    1551-7616

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    AIP Publishing

  • Místo vydání

    Štrbské Pleso

  • Místo konání akce

    Štrbské Pleso

  • Datum konání akce

    21. 6. 2023

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku