Bismuth Films Deposited by Molecular Beam Epitaxy
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F24%3A43974776" target="_blank" >RIV/49777513:23640/24:43974776 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1063/5.0188562" target="_blank" >https://doi.org/10.1063/5.0188562</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/5.0188562" target="_blank" >10.1063/5.0188562</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Bismuth Films Deposited by Molecular Beam Epitaxy
Popis výsledku v původním jazyce
Bismuth is a material with some interesting physical properties. It exhibits strong spin-orbit coupling and is also the basis of several topological insulators. The most important for applications is the (111) Bi surface. The aim of this work was to prepare Bi films on Si(111) substrates. We present a combination of substrate preparation technique and two-step deposition technique based on molecular beam epitaxy, which allowed us to achieve epitaxial growth of Bi. The final film exhibited a strong preferred orientation in the (111) direction confirmed by X-Ray diffraction and Reflection High Energy Electron Diffraction patterns and a smooth surface with low roughness confirmed by scanning electron microscopy.
Název v anglickém jazyce
Bismuth Films Deposited by Molecular Beam Epitaxy
Popis výsledku anglicky
Bismuth is a material with some interesting physical properties. It exhibits strong spin-orbit coupling and is also the basis of several topological insulators. The most important for applications is the (111) Bi surface. The aim of this work was to prepare Bi films on Si(111) substrates. We present a combination of substrate preparation technique and two-step deposition technique based on molecular beam epitaxy, which allowed us to achieve epitaxial growth of Bi. The final film exhibited a strong preferred orientation in the (111) direction confirmed by X-Ray diffraction and Reflection High Energy Electron Diffraction patterns and a smooth surface with low roughness confirmed by scanning electron microscopy.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EH22_008%2F0004634" target="_blank" >EH22_008/0004634: Strojní inženýrství biologických a bioinspirovaných systémů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
AIP Conference Proceedings: Applied Physics of Condensed Matter (APCOM 2023)
ISBN
978-0-7354-4805-6
ISSN
0094-243X
e-ISSN
1551-7616
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Název nakladatele
AIP Publishing
Místo vydání
Štrbské Pleso
Místo konání akce
Štrbské Pleso
Datum konání akce
21. 6. 2023
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—