Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Analytical Solution of Circuits Employing Voltage - and Current - Excited Memristors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F12%3A00468833" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/12:00468833 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26220/12:PU98347

  • Výsledek na webu

    <a href="http://vavtest.unob.cz/registr" target="_blank" >http://vavtest.unob.cz/registr</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Analytical Solution of Circuits Employing Voltage - and Current - Excited Memristors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The analysis of complicated circuits containing nonlinear electrical elements is commonly performed via numerical algorithms of simulation programs. However, an analytical solution can be preferable to the numerical approach, particularly for the needs of basic research. This paper introduces a methodology of the analytical solution of voltage/current response of thememristor to its excitation from ideal current/voltage source, with the memristor being characterized by thememristance-charge ormemductance- flux relationships. The procedure is explained on examples of a TiO memristor with linear dopant drift and of a hydraulic memristor.

  • Název v anglickém jazyce

    Analytical Solution of Circuits Employing Voltage - and Current - Excited Memristors

  • Popis výsledku anglicky

    The analysis of complicated circuits containing nonlinear electrical elements is commonly performed via numerical algorithms of simulation programs. However, an analytical solution can be preferable to the numerical approach, particularly for the needs of basic research. This paper introduces a methodology of the analytical solution of voltage/current response of thememristor to its excitation from ideal current/voltage source, with the memristor being characterized by thememristance-charge ormemductance- flux relationships. The procedure is explained on examples of a TiO memristor with linear dopant drift and of a hydraulic memristor.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS?I: REGULAR PAPERS

  • ISSN

    1549-8328

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    59

  • Číslo periodika v rámci svazku

    11

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

    2619-2628

  • Kód UT WoS článku

    000310891000013

  • EID výsledku v databázi Scopus