Analytical Computation of the Area of Pinched Hysteresis Loops of Ideal Mem-Elements
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F13%3A00493985" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/13:00493985 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/13:PU103727
Výsledek na webu
<a href="http://vavtest.unob.cz/registr" target="_blank" >http://vavtest.unob.cz/registr</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Analytical Computation of the Area of Pinched Hysteresis Loops of Ideal Mem-Elements
Popis výsledku v původním jazyce
The memory elements, memristor being the best known of them, driven by a periodical waveform exhibit the well-known pinched hysteresis loops. The hysteresis is caused by a memory effect which results in a nonzero area closed within the loop. This paper presents an analytical formula for the loop area. This formula is then applied to memory elements whose parameter-vs.-state maps are modeled in the polynomial form. The TiO2 memristor, a special subset of the above elements, is analyzed as a demonstrationexample.
Název v anglickém jazyce
Analytical Computation of the Area of Pinched Hysteresis Loops of Ideal Mem-Elements
Popis výsledku anglicky
The memory elements, memristor being the best known of them, driven by a periodical waveform exhibit the well-known pinched hysteresis loops. The hysteresis is caused by a memory effect which results in a nonzero area closed within the loop. This paper presents an analytical formula for the loop area. This formula is then applied to memory elements whose parameter-vs.-state maps are modeled in the polynomial form. The TiO2 memristor, a special subset of the above elements, is analyzed as a demonstrationexample.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Radioengineering
ISSN
1210-2512
e-ISSN
—
Svazek periodika
22
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
132-135
Kód UT WoS článku
000318052400015
EID výsledku v databázi Scopus
—