Thermal stability of Pt/doping element/Pd ohmic contacts to GaAs.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F00%3A00004404" target="_blank" >RIV/60461373:22310/00:00004404 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thermal stability of Pt/doping element/Pd ohmic contacts to GaAs.
Popis výsledku v původním jazyce
Abstract: The thermal stability of Pt/doping element/Pd ohmic contacts with Ge, Si and Sn in the position of doping elements were investigated. The Pt(50 nm)/Pt(50 nm)/Si(40 nm)/Pd(10 nm) metallization deposited by sputtering shows the best stability.
Název v anglickém jazyce
Thermal stability of Pt/doping element/Pd ohmic contacts to GaAs.
Popis výsledku anglicky
Abstract: The thermal stability of Pt/doping element/Pd ohmic contacts with Ge, Si and Sn in the position of doping elements were investigated. The Pt(50 nm)/Pt(50 nm)/Si(40 nm)/Pd(10 nm) metallization deposited by sputtering shows the best stability.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F99%2F0414" target="_blank" >GA102/99/0414: Materiály a struktury pro elektronické a optoelektronické součástky připravované metodou MOVPE</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2000
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)