Růst a charakterizace vrstev GaN:Mn metodou MOVPE

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F08%3A00020065" target="_blank" >RIV/60461373:22310/08:00020065 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Růst a charakterizace vrstev GaN:Mn metodou MOVPE

Popis výsledku v původním jazyce

Růst a charakterizace vrstev GaN:Mn metodou MOVPE

Název v anglickém jazyce

Growth and Characterization of GaN:Mn layers by MOVPE

Popis výsledku anglicky

In this paper we present a growth of Ga1-xMnxN layers by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE). The analysis of the MOVPE deposition process of Ga1-xMnxN thin films revealed an unfavorable ratio between the apparent concentration of Mn in the gas phase and its doping level in the deposited layer. On the other hand, the incorporation of Mn has a positive effect on the resulting surface morphology. The optimal deposition temperature of 1000 °C was found out as a compromise between the layer quality andMn concentration. We observed a ferromagnetic component persisting up to room temperature and a prevailing paramagnetic phase.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

DMSRE, 18th joint seminar proceedings

ISBN

978-80-254-0864-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Název nakladatele

AV ČR

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Hnanice, ČR

Datum konání akce

2. 9. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—