Růst a charakterizace vrstev GaN:Mn metodou MOVPE
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F08%3A00020065" target="_blank" >RIV/60461373:22310/08:00020065 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Růst a charakterizace vrstev GaN:Mn metodou MOVPE
Popis výsledku v původním jazyce
Růst a charakterizace vrstev GaN:Mn metodou MOVPE
Název v anglickém jazyce
Growth and Characterization of GaN:Mn layers by MOVPE
Popis výsledku anglicky
In this paper we present a growth of Ga1-xMnxN layers by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE). The analysis of the MOVPE deposition process of Ga1-xMnxN thin films revealed an unfavorable ratio between the apparent concentration of Mn in the gas phase and its doping level in the deposited layer. On the other hand, the incorporation of Mn has a positive effect on the resulting surface morphology. The optimal deposition temperature of 1000 °C was found out as a compromise between the layer quality andMn concentration. We observed a ferromagnetic component persisting up to room temperature and a prevailing paramagnetic phase.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
DMSRE, 18th joint seminar proceedings
ISBN
978-80-254-0864-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
—
Název nakladatele
AV ČR
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Hnanice, ČR
Datum konání akce
2. 9. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—