Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Růst a vlastnosti vrstev GaN:Mn

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F08%3A00020130" target="_blank" >RIV/60461373:22310/08:00020130 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Growth and properties of GaN:Mn layers

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this contribution we present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE. The analysis of the MOVPE deposition process of Ga1-xMnxN thin films revealed an unfavorable ratio between the apparent concentration of Mn in the gas phase and its doping level in the deposited layer. On the other hand, the incorporation of Mn has a positive effect on the resulting surface morphology. The optimal deposition temperature of 1000 °C was found out as a compromise between the layer quality and Mn concentration. We observed a ferromagnetic component persisting up to room temperature and a prevailing paramagnetic phase.

  • Název v anglickém jazyce

    Growth and properties of GaN:Mn layers

  • Popis výsledku anglicky

    In this contribution we present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE. The analysis of the MOVPE deposition process of Ga1-xMnxN thin films revealed an unfavorable ratio between the apparent concentration of Mn in the gas phase and its doping level in the deposited layer. On the other hand, the incorporation of Mn has a positive effect on the resulting surface morphology. The optimal deposition temperature of 1000 °C was found out as a compromise between the layer quality and Mn concentration. We observed a ferromagnetic component persisting up to room temperature and a prevailing paramagnetic phase.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Vrstvy a povlaky 2008

  • ISBN

    978-80-969310-7-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Digital Graphic

  • Místo vydání

    Trenčín

  • Místo konání akce

    Rožnov pod Radhoštěm

  • Datum konání akce

    29. 9. 2008

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku