GaN:Mn layers growth by MOVPE
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F09%3A00021758" target="_blank" >RIV/60461373:22310/09:00021758 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
GaN:Mn layers growth by MOVPE
Popis výsledku v původním jazyce
We present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE. GaN templates were grown on (0001) sapphire substrates in a quartz horizontal reactor. For the deposition of Ga1-xMnxN layers, (MCp)2Mn was used as a Mn - precursor. For the growth of high quality GaN:Mnlayers it was necessary to grow these layers on a minimal partially coalesced layer of pure GaN. A direct deposition of GaN:Mn layer on low temperature GaN buffer layer led to a three-dimensional growth during the whole deposition process. A nearly constant ferromagnetic moment persisting up to room temperature was observed on the synthesized thin films.
Název v anglickém jazyce
GaN:Mn layers growth by MOVPE
Popis výsledku anglicky
We present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE. GaN templates were grown on (0001) sapphire substrates in a quartz horizontal reactor. For the deposition of Ga1-xMnxN layers, (MCp)2Mn was used as a Mn - precursor. For the growth of high quality GaN:Mnlayers it was necessary to grow these layers on a minimal partially coalesced layer of pure GaN. A direct deposition of GaN:Mn layer on low temperature GaN buffer layer led to a three-dimensional growth during the whole deposition process. A nearly constant ferromagnetic moment persisting up to room temperature was observed on the synthesized thin films.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Vrstvy a povlaky 2009
ISBN
978-80-969310-9-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Digital Graphic
Místo vydání
Trenčín
Místo konání akce
Rožnov pod Radhoštěm
Datum konání akce
30. 9. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—