Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

GaN:Mn layers growth by MOVPE

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F09%3A00021758" target="_blank" >RIV/60461373:22310/09:00021758 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    GaN:Mn layers growth by MOVPE

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE. GaN templates were grown on (0001) sapphire substrates in a quartz horizontal reactor. For the deposition of Ga1-xMnxN layers, (MCp)2Mn was used as a Mn - precursor. For the growth of high quality GaN:Mnlayers it was necessary to grow these layers on a minimal partially coalesced layer of pure GaN. A direct deposition of GaN:Mn layer on low temperature GaN buffer layer led to a three-dimensional growth during the whole deposition process. A nearly constant ferromagnetic moment persisting up to room temperature was observed on the synthesized thin films.

  • Název v anglickém jazyce

    GaN:Mn layers growth by MOVPE

  • Popis výsledku anglicky

    We present a growth of Ga1-xMnxN layers by MOVPE. GaN templates were grown on (0001) sapphire substrates in a quartz horizontal reactor. For the deposition of Ga1-xMnxN layers, (MCp)2Mn was used as a Mn - precursor. For the growth of high quality GaN:Mnlayers it was necessary to grow these layers on a minimal partially coalesced layer of pure GaN. A direct deposition of GaN:Mn layer on low temperature GaN buffer layer led to a three-dimensional growth during the whole deposition process. A nearly constant ferromagnetic moment persisting up to room temperature was observed on the synthesized thin films.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Vrstvy a povlaky 2009

  • ISBN

    978-80-969310-9-5

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Digital Graphic

  • Místo vydání

    Trenčín

  • Místo konání akce

    Rožnov pod Radhoštěm

  • Datum konání akce

    30. 9. 2009

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku