Effects of Si interlayer on nickel and platinum ohmic contacts for n-type SiC

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F09%3A00021587" target="_blank" >RIV/60461373:22310/09:00021587 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effects of Si interlayer on nickel and platinum ohmic contacts for n-type SiC

Popis výsledku v původním jazyce

Ni and Pt are common contact materials for n-type and p-type of silicon carbide, respectively. As deposited metals have to be annealed at least at 950C. Both metals react with SiC and silicides are created as a result; thus a certain region of subcontactSiC is decomposed. The mentioned reaction destroys semiconductor material under an ohmic contact and thus can influence behavior of the whole semiconductor structure. A silicon layer inserted in the metallization can reduce reactions of metals with SiCand minimize the decomposition of SiC. The aim of the contribution is testing of Si interlayer on electrical parameters of Ni/SiC and Pt/SiC structures. Both metallizations are prepared on n-type of SiC.

Název v anglickém jazyce

Effects of Si interlayer on nickel and platinum ohmic contacts for n-type SiC

Popis výsledku anglicky

Ni and Pt are common contact materials for n-type and p-type of silicon carbide, respectively. As deposited metals have to be annealed at least at 950C. Both metals react with SiC and silicides are created as a result; thus a certain region of subcontactSiC is decomposed. The mentioned reaction destroys semiconductor material under an ohmic contact and thus can influence behavior of the whole semiconductor structure. A silicon layer inserted in the metallization can reduce reactions of metals with SiCand minimize the decomposition of SiC. The aim of the contribution is testing of Si interlayer on electrical parameters of Ni/SiC and Pt/SiC structures. Both metallizations are prepared on n-type of SiC.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings ISSE 2009 32nd International Spring Seminar on Electronics Technology

ISBN

978-1-4244-4260-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

VUT Brno

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

13. 5. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—