Oxidized Al Film as an Insulation Layer in AlGaN/GaN Metal?Oxide?Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F10%3A00022994" target="_blank" >RIV/60461373:22310/10:00022994 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Oxidized Al Film as an Insulation Layer in AlGaN/GaN Metal?Oxide?Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistors

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the technology of a very thin oxidized Al sputtered film used for gate insulation and passivation in Al2O3/AlGaN/GaN metal?oxide?semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOSHFETs). Their transport properties are presented. TheMOSHFET with the Al2O3 layer had improved static output and transfer characteristics compared with the reference heterostructure field-effect transistors (HFETs): (1) their saturation drain current IDS was 600 mA mm-1 at gate voltage VG=1 V (HFETs with2.5 ?m gates had 430 mA mm-1); (2) their transconductance was 116?140 mS mm-1 (HFETs had 70 mS mm-1).

Název v anglickém jazyce

Oxidized Al Film as an Insulation Layer in AlGaN/GaN Metal?Oxide?Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistors

Popis výsledku anglicky

We report on the technology of a very thin oxidized Al sputtered film used for gate insulation and passivation in Al2O3/AlGaN/GaN metal?oxide?semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOSHFETs). Their transport properties are presented. TheMOSHFET with the Al2O3 layer had improved static output and transfer characteristics compared with the reference heterostructure field-effect transistors (HFETs): (1) their saturation drain current IDS was 600 mA mm-1 at gate voltage VG=1 V (HFETs with2.5 ?m gates had 430 mA mm-1); (2) their transconductance was 116?140 mS mm-1 (HFETs had 70 mS mm-1).

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Jpn.Journal Appl.Phys.

ISSN

0021-4922

e-ISSN

—

Svazek periodika

49

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

JP - Japonsko

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000277300700071

EID výsledku v databázi Scopus

—