Residual strain in recessed AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors evaluated by micro photoluminescence measurements
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F12%3A43893538" target="_blank" >RIV/60461373:22310/12:43893538 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201100408" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201100408</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201100408" target="_blank" >10.1002/pssc.201100408</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Residual strain in recessed AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors evaluated by micro photoluminescence measurements
Popis výsledku v původním jazyce
The residual strain in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with recessed gates and their non-recessed counterparts were investigated by micro photoluminescence measurements (mu-PL). It is found that strain relaxation accounts for the observed sheet carrier density reduction after gate recessing. The usefulness of the method for device processing optimization is demonstrated.
Název v anglickém jazyce
Residual strain in recessed AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors evaluated by micro photoluminescence measurements
Popis výsledku anglicky
The residual strain in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with recessed gates and their non-recessed counterparts were investigated by micro photoluminescence measurements (mu-PL). It is found that strain relaxation accounts for the observed sheet carrier density reduction after gate recessing. The usefulness of the method for device processing optimization is demonstrated.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Solidi (c)
ISSN
1610-1634
e-ISSN
—
Svazek periodika
9
Číslo periodika v rámci svazku
3-4
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
911-914
Kód UT WoS článku
000306521600124
EID výsledku v databázi Scopus
—