Non-uniform distribution of induced strain in a gate-recessed AlGaN/GaN structure evaluated by micro-PL measurements

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F12%3A43893558" target="_blank" >RIV/60461373:22310/12:43893558 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/27/10/105008" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/27/10/105008</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/27/10/105008" target="_blank" >10.1088/0268-1242/27/10/105008</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Non-uniform distribution of induced strain in a gate-recessed AlGaN/GaN structure evaluated by micro-PL measurements

Popis výsledku v původním jazyce

Micro-photoluminescence (mu-PL) studies were performed on AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) with different gate-recessing depths. It was found that mu-PL is the method of choice for detecting dry etching damage and simultaneouslyrecording strain and stress in the HFET GaN layer. Lateral sub-mu m resolved mapping shows that the strain in the GaN layer after recessing is partially relaxed and non-uniform.

Název v anglickém jazyce

Non-uniform distribution of induced strain in a gate-recessed AlGaN/GaN structure evaluated by micro-PL measurements

Popis výsledku anglicky

Micro-photoluminescence (mu-PL) studies were performed on AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) with different gate-recessing depths. It was found that mu-PL is the method of choice for detecting dry etching damage and simultaneouslyrecording strain and stress in the HFET GaN layer. Lateral sub-mu m resolved mapping shows that the strain in the GaN layer after recessing is partially relaxed and non-uniform.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

27

Číslo periodika v rámci svazku

10

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

105008

Kód UT WoS článku

000309111800010

EID výsledku v databázi Scopus

—