Femtosecond and highly sensitive GaAs metal?semiconductor?metal photodetectors grown on aluminum mirrors/pseudo-substrates

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F10%3A00022997" target="_blank" >RIV/60461373:22310/10:00022997 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Femtosecond and highly sensitive GaAs metal?semiconductor?metal photodetectors grown on aluminum mirrors/pseudo-substrates

Popis výsledku v původním jazyce

Ultrafast metal-semiconductor-metal photodetectors on GaAs grown on aluminum mirrors/pseudo-substrates were fabricated and tested. Surface characterization measurements reveal the good quality of the surface morphology, while X-ray diffraction measurements show several crystallographic orientations of the GaAs layer. The material exhibits a 50 fs carrier lifetime due to growth-induced defects. The response of the photodetectors shows a full width at half maximum of 300 fs. These results demonstrate thatthe growth of GaAs layers on lattice-mismatched metallic substrates with a high thermal conductivity is a promising approach for low-cost and large-area fabrication of electronic and ultrafast photonic devices that require a highly effective thermal drain.

Název v anglickém jazyce

Femtosecond and highly sensitive GaAs metal?semiconductor?metal photodetectors grown on aluminum mirrors/pseudo-substrates

Popis výsledku anglicky

Ultrafast metal-semiconductor-metal photodetectors on GaAs grown on aluminum mirrors/pseudo-substrates were fabricated and tested. Surface characterization measurements reveal the good quality of the surface morphology, while X-ray diffraction measurements show several crystallographic orientations of the GaAs layer. The material exhibits a 50 fs carrier lifetime due to growth-induced defects. The response of the photodetectors shows a full width at half maximum of 300 fs. These results demonstrate thatthe growth of GaAs layers on lattice-mismatched metallic substrates with a high thermal conductivity is a promising approach for low-cost and large-area fabrication of electronic and ultrafast photonic devices that require a highly effective thermal drain.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA104%2F09%2F0621" target="_blank" >GA104/09/0621: Magnetické polovodiče na bázi ZnO</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

25

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000279319600001

EID výsledku v databázi Scopus

—