Příprava a termická analýza zlatých vrstev pro růst nanodrátů mechanismem VLS

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F13%3A43897006" target="_blank" >RIV/60461373:22310/13:43897006 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Příprava a termická analýza zlatých vrstev pro růst nanodrátů mechanismem VLS

Popis výsledku v původním jazyce

V tomto příspěvku bylo zkoumáno chování tenkých zlatých vrstev na substrátech Si a SiO. Pro různé tloušťky vrstev byla sledována teplota tání a další efekty metodou diferenční termické analýzy (DTA) do teplot 1300°C. Z analýzy dat byly vyhodnoceny tepelné efekty v intervalu od 200 do 1200°C pro každou vrstvu. Na substrátech s 10 nm zlatou vrstvou byly vypěstovány nanodráty metodou plynné epitaxe s využitím organokovů (MOVPE) mechynismem pára - kapalina - pevná látky (VLS). Přítomnost nanodrátů byla dokázána pomocí skenovací elektronové mikroskopie (SEM). Pro nejvhodnější podmínky nanodráty dosahovaly šířky okolo 200 nm a délky v řádu mikrometrů.

Název v anglickém jazyce

Preparation and thermal analysis of gold layers with regard to the growth of nanowires by the VLS mechanism

Popis výsledku anglicky

In this contribution we examined the behaviour of thin gold layers on Si and SiO2 substrates. The melting temperature and other thermal effects were followed by differential thermal analysis (DTA) method up to 1300°C. For each gold layer, thermal effectsit the temperature interval between 200 to 1200°C were evaluated. GaN nanowires were grown on substrate with 10 nm gold catalytic layer by metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) using a vapour - liquid - solid (VLS) mechanism. The presence of nanowires on the surface of the substrates was proofed using a scaning electron microscope (SEM). The nanowires were approximately 200 nm thick and several um long for the best growth conditions.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-20507S" target="_blank" >GA13-20507S: Tenké vrstvy magneticky dopovaného GaN</a><br>

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

35. Mezinárodní český a slovenský kalorimetrický seminář, sborník příspěvků

ISBN

978-80-7395-611-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

67-70

Název nakladatele

Univerzita Pardubice

Místo vydání

Pardubice

Místo konání akce

Třeboň, CZ

Datum konání akce

27. 5. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—