Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

GROWTH OF SILICON NANOWIRES BY THERMAL ANNEALING OF THICK GOLD CATALYTIC LAYER ON SILICON SUBSTRATE UNDER DIFFERENT ATMOSPHERES

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F15%3A00090296" target="_blank" >RIV/00216224:14310/15:00090296 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    GROWTH OF SILICON NANOWIRES BY THERMAL ANNEALING OF THICK GOLD CATALYTIC LAYER ON SILICON SUBSTRATE UNDER DIFFERENT ATMOSPHERES

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Silicon nanowires (Si NWs) were grown from Si wafer upon thermal annealing in the presence of catalytic gold layer. The Si substrate coated with 100 nm thick Au sputtered layer was thermally annealed at 1000 degrees C for 60 min in argon and hydrogen atmosphere at 8 kPa. The influence of argon and hydrogen atmospheres on the growth of Si NWs was investigated. It was found that by using the hydrogen atmosphere we were able to grow Si NWs, while the growth in argon atmosphere was sporadic. The catalytic layer morphology and composition were examined using atomic force microscopy and laser desorption-ionization time of flight mass spectrometry, while nanowire structure was observed through scanning electron microscope and energy dispersive X-ray spectroscopy.

  • Název v anglickém jazyce

    GROWTH OF SILICON NANOWIRES BY THERMAL ANNEALING OF THICK GOLD CATALYTIC LAYER ON SILICON SUBSTRATE UNDER DIFFERENT ATMOSPHERES

  • Popis výsledku anglicky

    Silicon nanowires (Si NWs) were grown from Si wafer upon thermal annealing in the presence of catalytic gold layer. The Si substrate coated with 100 nm thick Au sputtered layer was thermally annealed at 1000 degrees C for 60 min in argon and hydrogen atmosphere at 8 kPa. The influence of argon and hydrogen atmospheres on the growth of Si NWs was investigated. It was found that by using the hydrogen atmosphere we were able to grow Si NWs, while the growth in argon atmosphere was sporadic. The catalytic layer morphology and composition were examined using atomic force microscopy and laser desorption-ionization time of flight mass spectrometry, while nanowire structure was observed through scanning electron microscope and energy dispersive X-ray spectroscopy.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BE - Teoretická fyzika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    NANOCON 2015: 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH &amp; APPLICATION

  • ISBN

    9788087294635

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    79-84

  • Název nakladatele

    TANGER LTD

  • Místo vydání

    SLEZSKA

  • Místo konání akce

    Brno, CZECH REPUBLIC

  • Datum konání akce

    14. 10. 2015

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000374708800012