Charakterizace WO3 tenkých vrstev připravených plasmatickým magnetronovým naprašováním

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F14%3A43898381" target="_blank" >RIV/60461373:22310/14:43898381 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Charakterizace WO3 tenkých vrstev připravených plasmatickým magnetronovým naprašováním

Popis výsledku v původním jazyce

Oxid wolframu (WO3) je důležitý materiál s elektrickými a optickými vlastnostmi, které jsou využívány pro různé aplikace. Je to polovodič s atraktivními elektrickými a optickými vlastnostmi (Eg ? 2.5-2.8 eV), dokáže zachytit přibližně 12% slunečního spektra a může absorbovat světlo ve viditelném spektru až do 500 nm. Práce se zabývá porovnáním fotoelektrochemických vlastností vrstev, které byly připraveny magnetronovým naprašováním. Vrstvy byly připraveny na skelných substrátech FTO (oxid cíničitý dopovaný fluoridem) při různých depozičních podmínkách. Vlastnosti deponovaných WO3 filmů byly studovány v závislosti na pulzní frekvenci a době trvání depozice. Wolframový terč byl reaktivně bombardován v atmosféře Ar + O2 při konstantním tlaku plynu p = 2,18 Pa. Část vrstev byla vyžíhána (450 °C). Krystalografická struktura připravených vrstev byla zjišťována Ramanovskou spektroskopií a RTG difrakcí. Morfologie vrstev byla sledována s využitím skenovací elektronové mikroskopie. Fotoelektroc

Název v anglickém jazyce

Preparetion of WO3 thin films by pulsed plasma and their characterizition

Popis výsledku anglicky

Tungsten oxide is an important material with electrical and optical properties that are exploited for a variety of applications such as photolysis, electrochromic devices and gas sensors. Tungsten trioxide (WO3) is an indirect bandgap semiconductor withattractive electrical and optical properties. The present work deals with photoelectrochemical properties of the layers prepared by magnetron sputtering deposition. The layers were prepared on FTO glass substrates (fluoride-doped tin oxide) at various deposition conditions. A high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) system was used for the deposition of WO3 thin films. Tungsten target was reactively sputtered in atmosphere of Ar + O2 at constant gas pressure p = 2.18 Pa. Properties of depositedWO3 films were studied in dependence on pulsing frequency and pulse applied power.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP108%2F12%2F2104" target="_blank" >GAP108/12/2104: Pokročilé polovodičové materiály pro fotoelektrochemický rozklad vody</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

4. ročník konference Moderní TRENDY v anorganických technologiích 2014

ISBN

978-80-7080-889-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

82-85

Název nakladatele

Vysoká škola chemicko-technologická v Praze

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

11. 6. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—