Graphene growth by transfer-free chemical vapour deposition on cobalt layer

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F17%3A43913942" target="_blank" >RIV/60461373:22310/17:43913942 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1515/jee-2017-0011" target="_blank" >https://doi.org/10.1515/jee-2017-0011</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1515/jee-2017-0011" target="_blank" >10.1515/jee-2017-0011</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Graphene growth by transfer-free chemical vapour deposition on cobalt layer

Popis výsledku v původním jazyce

The contribution deals with the preparation of graphene films by a transfer-free chemical vapour deposition process utilizing a thin cobalt layer. This method allows growing graphene directly on a dielectric substrate. The process was carried out in a cold-wall reactor with methane as carbon precursor. We managed to prepare bilayer graphene. The best results were obtained for a structure with a cobalt layer with a thickness of 50 nm. The quality of prepared graphene films and of the number of graphene layers were estimated using Raman spectroscopy. with a minimal dots diameter of 180 nm and spacing of 1000 nm were successfully developed.

Název v anglickém jazyce

Graphene growth by transfer-free chemical vapour deposition on cobalt layer

Popis výsledku anglicky

The contribution deals with the preparation of graphene films by a transfer-free chemical vapour deposition process utilizing a thin cobalt layer. This method allows growing graphene directly on a dielectric substrate. The process was carried out in a cold-wall reactor with methane as carbon precursor. We managed to prepare bilayer graphene. The best results were obtained for a structure with a cobalt layer with a thickness of 50 nm. The quality of prepared graphene films and of the number of graphene layers were estimated using Raman spectroscopy. with a minimal dots diameter of 180 nm and spacing of 1000 nm were successfully developed.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20501 - Materials engineering

Projekt

<a href="/cs/project/GA17-00607S" target="_blank" >GA17-00607S: Komplexní umělé elektromagnetické struktury a nanostruktury</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Electrical Engineering

ISSN

1339-309X

e-ISSN

—

Svazek periodika

68

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

79-82

Kód UT WoS článku

000396613900011

EID výsledku v databázi Scopus

—