Laser-induced Thin Film Formation from a Gaseous Mixture of Trimethylsilylacetylene and Methyl Acrylate.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F01%3A54010076" target="_blank" >RIV/61388955:_____/01:54010076 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Laser-induced Thin Film Formation from a Gaseous Mixture of Trimethylsilylacetylene and Methyl Acrylate.
Popis výsledku v původním jazyce
Under irradiation with N2 laser light gaseous trimethylsilylacetylene(TMeSiA) and a gaseous mixture of TMeSiA and methylacrylate(MA) produced thin solid films on quartz window of an irradiation vessel. From the analysis of FT-IR and X-ray photoelectron spectra of the deposited films it was shown that Si-C bond of TMeSiA was cleaved by two photon absorption of laser light to produce TMeSi radical and the silanes. TMeSi radical reacted with MA at C=C and C=O bonds to produce Si-C and Si-O bond in the film.
Název v anglickém jazyce
Laser-induced Thin Film Formation from a Gaseous Mixture of Trimethylsilylacetylene and Methyl Acrylate.
Popis výsledku anglicky
Under irradiation with N2 laser light gaseous trimethylsilylacetylene(TMeSiA) and a gaseous mixture of TMeSiA and methylacrylate(MA) produced thin solid films on quartz window of an irradiation vessel. From the analysis of FT-IR and X-ray photoelectron spectra of the deposited films it was shown that Si-C bond of TMeSiA was cleaved by two photon absorption of laser light to produce TMeSi radical and the silanes. TMeSi radical reacted with MA at C=C and C=O bonds to produce Si-C and Si-O bond in the film.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)