Raman Spectroscopy as a Tool to Address Individual Graphene Layers in Few-Layer Graphene

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F12%3A00384161" target="_blank" >RIV/61388955:_____/12:00384161 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/jp307324u" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1021/jp307324u</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/jp307324u" target="_blank" >10.1021/jp307324u</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Raman Spectroscopy as a Tool to Address Individual Graphene Layers in Few-Layer Graphene

Popis výsledku v původním jazyce

We developed a new general approach to address individual graphene sheets in few-layer graphene by Raman spectroscopy. Our method is based on isotope labeling of individual layers during their synthesis and subsequent transfer to form multilayered graphene. The power of the procedure is demonstrated in the analysis of the interactions of individual layers with the substrate and with the environment. In addition, we measured Raman spectra of individual graphene layers in 3-LG during electrochemical doping. We show that they do not exhibit the same level of doping as one another and the doping level is dependent on layer position with respect to the substrate.

Název v anglickém jazyce

Raman Spectroscopy as a Tool to Address Individual Graphene Layers in Few-Layer Graphene

Popis výsledku anglicky

We developed a new general approach to address individual graphene sheets in few-layer graphene by Raman spectroscopy. Our method is based on isotope labeling of individual layers during their synthesis and subsequent transfer to form multilayered graphene. The power of the procedure is demonstrated in the analysis of the interactions of individual layers with the substrate and with the environment. In addition, we measured Raman spectra of individual graphene layers in 3-LG during electrochemical doping. We show that they do not exhibit the same level of doping as one another and the doping level is dependent on layer position with respect to the substrate.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CG - Elektrochemie

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physical Chemistry C

ISSN

1932-7447

e-ISSN

—

Svazek periodika

116

Číslo periodika v rámci svazku

35

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

19046-19050

Kód UT WoS článku

000308339600060

EID výsledku v databázi Scopus

—