The control of graphene double-layer formation in copper-catalyzed chemical vapor deposition
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F12%3A00384497" target="_blank" >RIV/61388955:_____/12:00384497 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2012.03.041" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2012.03.041</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2012.03.041" target="_blank" >10.1016/j.carbon.2012.03.041</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The control of graphene double-layer formation in copper-catalyzed chemical vapor deposition
Popis výsledku v původním jazyce
The growth of graphene during Cu-catalyzed chemical vapor deposition was studied using (CH4)-C-12 and (CH4)-C-13 precursor gasses. We suggest that the growth begins by the formation of a multilayer cluster. This seed increases its size but the growth speed of a particular layer depends on its proximity to the copper surface. The layer closest to the substrate grows fastest and thus further limits the growth rate of the upper layers. Nevertheless, the growth of the upper layers continues until the coppersurface is completely blocked. It is shown that the upper layers can be removed by modification of the conditions of the growth by hydrogen etching.
Název v anglickém jazyce
The control of graphene double-layer formation in copper-catalyzed chemical vapor deposition
Popis výsledku anglicky
The growth of graphene during Cu-catalyzed chemical vapor deposition was studied using (CH4)-C-12 and (CH4)-C-13 precursor gasses. We suggest that the growth begins by the formation of a multilayer cluster. This seed increases its size but the growth speed of a particular layer depends on its proximity to the copper surface. The layer closest to the substrate grows fastest and thus further limits the growth rate of the upper layers. Nevertheless, the growth of the upper layers continues until the coppersurface is completely blocked. It is shown that the upper layers can be removed by modification of the conditions of the growth by hydrogen etching.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CG - Elektrochemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP208%2F12%2F1062" target="_blank" >GAP208/12/1062: Spektroskopie a spektroelektrochemie grafenu a grafenových multivrtsev</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Carbon
ISSN
0008-6223
e-ISSN
—
Svazek periodika
50
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
3682-3687
Kód UT WoS článku
000305851700037
EID výsledku v databázi Scopus
—