Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Addressing Raman features of individual layers in isotopically labeled Bernal stacked bilayer graphene

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F16%3A00462410" target="_blank" >RIV/61388955:_____/16:00462410 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/3/2/025022" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/3/2/025022</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/3/2/025022" target="_blank" >10.1088/2053-1583/3/2/025022</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Addressing Raman features of individual layers in isotopically labeled Bernal stacked bilayer graphene

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this report important Raman modes for the evaluation of strain in graphene (the 2D and 2D') are analyzed. The isotope labeling is used to disentangle contribution of individual graphene layers of graphene bilayer to the studied Raman modes. It is shown that for Bernal-stacked bilayers, the 2D and the 2D' Raman modes have three distinct components that can be assigned to processes originating solely from the top graphene layer, bottom graphene layer, and from a combination of processes originating both from the top and bottom layers. The reported results thus enable addressing the properties of individual graphene layers in graphene bilayer by Raman spectroscopy.

  • Název v anglickém jazyce

    Addressing Raman features of individual layers in isotopically labeled Bernal stacked bilayer graphene

  • Popis výsledku anglicky

    In this report important Raman modes for the evaluation of strain in graphene (the 2D and 2D') are analyzed. The isotope labeling is used to disentangle contribution of individual graphene layers of graphene bilayer to the studied Raman modes. It is shown that for Bernal-stacked bilayers, the 2D and the 2D' Raman modes have three distinct components that can be assigned to processes originating solely from the top graphene layer, bottom graphene layer, and from a combination of processes originating both from the top and bottom layers. The reported results thus enable addressing the properties of individual graphene layers in graphene bilayer by Raman spectroscopy.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LL1301" target="_blank" >LL1301: Od grafenových hybridních nanostruktur k ekologické elektronice</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    2D Materials

  • ISSN

    2053-1583

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    3

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000378571400042

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84977538523