Relief grating induced by photo-expansion in Ga-Ge-S and Ga-Ge-As-S glasses.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388980%3A_____%2F02%3A50023058" target="_blank" >RIV/61388980:_____/02:50023058 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Relief grating induced by photo-expansion in Ga-Ge-S and Ga-Ge-As-S glasses.

Popis výsledku v původním jazyce

We report the fabrication of relief diffraction gratings recorded on a surface of photosensitive Ga10Ge25S65 and Ga5Ge25As5S65 glasses by means of interference of two UV laser beams at 351 nm. The diffraction efficiency (eta) of first diffraction order was measured. Atomic-force-microscope (AFM) was used to perform a 3D imaging analysis of the sample surface topography that shows the superposition of an imprinted grating over the topography of the glass. The change in the absorption edge and the refractive index has been evaluated and a structural approach of the relief grating on the glass surface has been discussed.

Název v anglickém jazyce

Relief grating induced by photo-expansion in Ga-Ge-S and Ga-Ge-As-S glasses.

Popis výsledku anglicky

We report the fabrication of relief diffraction gratings recorded on a surface of photosensitive Ga10Ge25S65 and Ga5Ge25As5S65 glasses by means of interference of two UV laser beams at 351 nm. The diffraction efficiency (eta) of first diffraction order was measured. Atomic-force-microscope (AFM) was used to perform a 3D imaging analysis of the sample surface topography that shows the superposition of an imprinted grating over the topography of the glass. The change in the absorption edge and the refractive index has been evaluated and a structural approach of the relief grating on the glass surface has been discussed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

ISSN

1454-4164

e-ISSN

—

Svazek periodika

4

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

BR - Brazilská federativní republika

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

375-380

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—