Vlastnosti RF magnetronově naprášených galium-nitridových polovodičů

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F04%3A00105579" target="_blank" >RIV/61389005:_____/04:00105579 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/60461373:22340/04:00011295

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium

Popis výsledku v původním jazyce

GaN is a wide direct band-gap (E-g similar to 3.4 eV) semiconductor which is attractive for optical devices. Trivalent erbium (Er3+) is an efficient luminescent centre with an atom-like emission at 1540 nm. Typical GaN thin films are fabricated by chemical gas-phase deposition or by epitaxy. Our GaN films were deposited by RF magnetron sputtering using gallium targets and a 3:7 nitrogen-argon mixture. The thickness of the deposited samples was typically 1-2 mum. For Er doping, pellets of metallic Er were put on top of the Ga target. The goal of erbium doping is to reach a concentration sufficient for optical activity. The composition of prepared layers was checked by nuclear analytical methods. The GaN stoichiometry, O admixture and Er dopant up to depths of 600 nm was checked by RBS using 2.4 MeV protons and 2.2 MeV alpha particles. The H impurity was checked by ERDA with 2.7 MeV alpha particles. The structure of fabricated GaN films was checked by x-ray diffraction, Raman spectros...

Název v anglickém jazyce

Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium

Popis výsledku anglicky

GaN is a wide direct band-gap (E-g similar to 3.4 eV) semiconductor which is attractive for optical devices. Trivalent erbium (Er3+) is an efficient luminescent centre with an atom-like emission at 1540 nm. Typical GaN thin films are fabricated by chemical gas-phase deposition or by epitaxy. Our GaN films were deposited by RF magnetron sputtering using gallium targets and a 3:7 nitrogen-argon mixture. The thickness of the deposited samples was typically 1-2 mum. For Er doping, pellets of metallic Er were put on top of the Ga target. The goal of erbium doping is to reach a concentration sufficient for optical activity. The composition of prepared layers was checked by nuclear analytical methods. The GaN stoichiometry, O admixture and Er dopant up to depths of 600 nm was checked by RBS using 2.4 MeV protons and 2.2 MeV alpha particles. The H impurity was checked by ERDA with 2.7 MeV alpha particles. The structure of fabricated GaN films was checked by x-ray diffraction, Raman spectros...

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Surface and Interface Analysis

ISSN

0142-2421

e-ISSN

—

Svazek periodika

36

Číslo periodika v rámci svazku

8

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

952-954

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—