Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Ramanova spektra vrstev nitridu gallitého obsahujících erbium připravených magnetronovým naprašováním

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F04%3A00011663" target="_blank" >RIV/60461373:22310/04:00011663 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Raman spectra of erbium doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report about fabrication of GaN layers by magnetron sputtering on silicon substrates using gallium targets and argon-nitrogen mixtures. Erbium doping into the GaN occurred from metallic erbium powder that was deposited onto the top of the gallium targets. Fabricated samples were characterized by X-ray-diffraction, Raman spectra and using nuclear analytical methods as RBS and ERDA. The properties of the samples were compared with that fabricated by MOCVD method.

  • Název v anglickém jazyce

    Raman spectra of erbium doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering

  • Popis výsledku anglicky

    We report about fabrication of GaN layers by magnetron sputtering on silicon substrates using gallium targets and argon-nitrogen mixtures. Erbium doping into the GaN occurred from metallic erbium powder that was deposited onto the top of the gallium targets. Fabricated samples were characterized by X-ray-diffraction, Raman spectra and using nuclear analytical methods as RBS and ERDA. The properties of the samples were compared with that fabricated by MOCVD method.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 3rd European Microelectronics and Packaging Symposium

  • ISBN

    80-2835-x

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    577-582

  • Název nakladatele

    IMAPS CZ&SK

  • Místo vydání

    Praha

  • Místo konání akce

    Praha

  • Datum konání akce

    16. 6. 2004

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku