Ramanova spektra vrstev nitridu gallitého obsahujících erbium připravených magnetronovým naprašováním
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F04%3A00011663" target="_blank" >RIV/60461373:22310/04:00011663 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Raman spectra of erbium doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering
Popis výsledku v původním jazyce
We report about fabrication of GaN layers by magnetron sputtering on silicon substrates using gallium targets and argon-nitrogen mixtures. Erbium doping into the GaN occurred from metallic erbium powder that was deposited onto the top of the gallium targets. Fabricated samples were characterized by X-ray-diffraction, Raman spectra and using nuclear analytical methods as RBS and ERDA. The properties of the samples were compared with that fabricated by MOCVD method.
Název v anglickém jazyce
Raman spectra of erbium doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering
Popis výsledku anglicky
We report about fabrication of GaN layers by magnetron sputtering on silicon substrates using gallium targets and argon-nitrogen mixtures. Erbium doping into the GaN occurred from metallic erbium powder that was deposited onto the top of the gallium targets. Fabricated samples were characterized by X-ray-diffraction, Raman spectra and using nuclear analytical methods as RBS and ERDA. The properties of the samples were compared with that fabricated by MOCVD method.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 3rd European Microelectronics and Packaging Symposium
ISBN
80-2835-x
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
577-582
Název nakladatele
IMAPS CZ&SK
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
16. 6. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—