Vlastnosti GaN vrstev připravených magnetronovým naprašováním a dotovaných ionty Er a Yb

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F06%3A00098329" target="_blank" >RIV/61389005:_____/06:00098329 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/06:00098329
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Properties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering
Popis výsledku v původním jazyce
Erbium and erbium/ytterbium doped gallium nitride (GaN) layers prepared by magnetron sputtering on silicon, quartz and Corning glass substrates are reported. Samples were characterized by X-ray diffraction (XRD), photoluminescence and nuclear analyticalmethods. Radiative emission due to Er3+ inner shell transitions at 1530 nm was observed on all samples.
Název v anglickém jazyce
Properties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering
Popis výsledku anglicky
Erbium and erbium/ytterbium doped gallium nitride (GaN) layers prepared by magnetron sputtering on silicon, quartz and Corning glass substrates are reported. Samples were characterized by X-ray diffraction (XRD), photoluminescence and nuclear analyticalmethods. Radiative emission due to Er3+ inner shell transitions at 1530 nm was observed on all samples.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0424" target="_blank" >GA102/06/0424: Nové součástky integrované optiky zhotovené planární hybridní technologií</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)