Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Impact of hydrogen bonds limited dipolar disorder in high-k polymer gate dielectric on charge carrier transport in OFET

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F20%3A00523717" target="_blank" >RIV/61389013:_____/20:00523717 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://www.mdpi.com/2073-4360/12/4/826" target="_blank" >https://www.mdpi.com/2073-4360/12/4/826</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.3390/polym12040826" target="_blank" >10.3390/polym12040826</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Impact of hydrogen bonds limited dipolar disorder in high-k polymer gate dielectric on charge carrier transport in OFET

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper contributes to the characterization and understanding the mutual interactions of the polar polymer gate dielectric and organic semiconductor in organic field effect transistors (OFETs). It has been shown on the example of cyanoethylated polyvinylalcohol (CEPVA), the high-k dielectric containing strong polar side groups, that the conditions during dielectric layer solidification can significantly affect the charge transport in the semiconductor layer. In contrast to the previous literature we attributed the reduced mobility to the broader distribution of the semiconductor density of states (DOS) due to a significant dipolar disorder in the dielectric layer. The combination of infrared (IR), solid-state nuclear magnetic resonance (NMR) and broadband dielectric (BDS) spectroscopy confirmed the presence of a rigid hydrogen bonds network in the CEPVA polymer. The formation of such network limits the dipolar disorder in the dielectric layer and leads to a significantly narrowed distribution of the density of states (DOS) and, hence, to the higher charge carrier mobility in the OFET active channel made of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene. The low temperature drying process of CEPVA dielectric results in the decreased energy disorder of transport states in the adjacent semiconductor layer, which is then similar as in OFETs equipped with the much less polar poly(4-vinylphenol) (PVP). Breaking hydrogen bonds at temperatures around 50 °C results in the gradual disintegration of the stabilizing network and deterioration of the charge transport due to a broader distribution of DOS

  • Název v anglickém jazyce

    Impact of hydrogen bonds limited dipolar disorder in high-k polymer gate dielectric on charge carrier transport in OFET

  • Popis výsledku anglicky

    The paper contributes to the characterization and understanding the mutual interactions of the polar polymer gate dielectric and organic semiconductor in organic field effect transistors (OFETs). It has been shown on the example of cyanoethylated polyvinylalcohol (CEPVA), the high-k dielectric containing strong polar side groups, that the conditions during dielectric layer solidification can significantly affect the charge transport in the semiconductor layer. In contrast to the previous literature we attributed the reduced mobility to the broader distribution of the semiconductor density of states (DOS) due to a significant dipolar disorder in the dielectric layer. The combination of infrared (IR), solid-state nuclear magnetic resonance (NMR) and broadband dielectric (BDS) spectroscopy confirmed the presence of a rigid hydrogen bonds network in the CEPVA polymer. The formation of such network limits the dipolar disorder in the dielectric layer and leads to a significantly narrowed distribution of the density of states (DOS) and, hence, to the higher charge carrier mobility in the OFET active channel made of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene. The low temperature drying process of CEPVA dielectric results in the decreased energy disorder of transport states in the adjacent semiconductor layer, which is then similar as in OFETs equipped with the much less polar poly(4-vinylphenol) (PVP). Breaking hydrogen bonds at temperatures around 50 °C results in the gradual disintegration of the stabilizing network and deterioration of the charge transport due to a broader distribution of DOS

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10404 - Polymer science

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LO1507" target="_blank" >LO1507: Polymery pro pokročilé technologie i kvalitnější život</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Polymers

  • ISSN

    2073-4360

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    12

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    17

  • Strana od-do

    1-17

  • Kód UT WoS článku

    000535587700096

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85086632018