Měření tloušťky tenké vrstvy SiO2 na křemíkovém substrátu s využitím spektrální interferometrie v bílém světle

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27350%2F07%3A00016590" target="_blank" >RIV/61989100:27350/07:00016590 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Měření tloušťky tenké vrstvy SiO2 na křemíkovém substrátu s využitím spektrální interferometrie v bílém světle
Popis výsledku v původním jazyce
Měření tloušťky tenké vrstvy SiO2 na křemíkovém substrátu s využitím spektrální interferometrie v bílém světle
Název v anglickém jazyce
Measurement of the thickness of SiO2 thin film on the silicon substrate using white-light spectral interferometry
Popis výsledku anglicky
The article deals with white-light spectral interferometry used for measuring the thickness of SiO2 thin films on a silicon substrate. A slightly dispersive Michelson interferometer with a cube beam splitter and a fibre optic spectrometer are used when one of the interferometer mirrors is replaced by the SiO2 thin film on the silicon wafer. Thickness of the SiO2 thin film is determined by comparison of recorded spectral interferogram with theoretical one provided that the optical constants for materialsinvolved in the structure are known. This method was applied for the thickness determination of four SiO2 thin-film samples.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F06%2F0531" target="_blank" >GA202/06/0531: Reflexní a vlnovodné jevy v magnetických nanostrukturách</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)