Metody spektrální interferometrie v bílem světle využívané k měření tloušťky tenkých vrstev

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27350%2F07%3A00016596" target="_blank" >RIV/61989100:27350/07:00016596 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

White-light spectral interferometric technique used to measure thickness of thin films

Popis výsledku v původním jazyce

We present a white-light spectral interferometric technique for measuring the thickness of a thin film on a substrate. First, the channeled spectrum is expressed analytically for a setup of a slightly dispersive Michelson interferometer with a cube beamsplitter of given effective thickness and a fiber-optic spectrometer of a Gaussian response function when one of the interferometer mirrors is replaced by the thin film on the substrate. Then we model the wavelength dependences of the reflectance, the visibility of the spectral interference fringes, the phase change on reflection and the so-called nonlinear phase function, respectively, for a SiO2 thin film on a silicon wafer. In the modeling, the optical constants are known and multiple reflection within the thin-film structure is taken into account. Second, we perform interferometric experiments with a SiO thin film on aluminium and the SiO2 thin film on the silicon wafer. Channeled spectra are recorded for determining the thin-film t

Název v anglickém jazyce

White-light spectral interferometric technique used to measure thickness of thin films

Popis výsledku anglicky

We present a white-light spectral interferometric technique for measuring the thickness of a thin film on a substrate. First, the channeled spectrum is expressed analytically for a setup of a slightly dispersive Michelson interferometer with a cube beamsplitter of given effective thickness and a fiber-optic spectrometer of a Gaussian response function when one of the interferometer mirrors is replaced by the thin film on the substrate. Then we model the wavelength dependences of the reflectance, the visibility of the spectral interference fringes, the phase change on reflection and the so-called nonlinear phase function, respectively, for a SiO2 thin film on a silicon wafer. In the modeling, the optical constants are known and multiple reflection within the thin-film structure is taken into account. Second, we perform interferometric experiments with a SiO thin film on aluminium and the SiO2 thin film on the silicon wafer. Channeled spectra are recorded for determining the thin-film t

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F06%2F0531" target="_blank" >GA202/06/0531: Reflexní a vlnovodné jevy v magnetických nanostrukturách</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of SPIE

ISBN

—

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

661605-661605

Název nakladatele

SPIE-The International Society for Optical Engineering

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

—

Datum konání akce

—

Typ akce podle státní příslušnosti

—

Kód UT WoS článku

—