Měření spektrální odrazivosti tenkých vrstev SiO2 na křemíkových podložkách
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27350%2F08%3A00019683" target="_blank" >RIV/61989100:27350/08:00019683 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Spectral reflectometry of SiO2 thin films on the silicon wafers
Popis výsledku v původním jazyce
An alternative method of the reflectance spectrum measurement of a thin film on a wafer is presented. The basic idea of this method is in replacing a standard measurement method employing a calibrated mirror with a two-step reflectance measurement methodusing both a thin-film structure and a bare wafer. This double comparative method can simply eliminate the unknown reflectance spectrum of the reference mirror. The method was successfully tested on a SiO2 thin film on different B- and P-doped Si substrates. The obtained reflectance spectra were compared with the theoretical model.
Název v anglickém jazyce
Spectral reflectometry of SiO2 thin films on the silicon wafers
Popis výsledku anglicky
An alternative method of the reflectance spectrum measurement of a thin film on a wafer is presented. The basic idea of this method is in replacing a standard measurement method employing a calibrated mirror with a two-step reflectance measurement methodusing both a thin-film structure and a bare wafer. This double comparative method can simply eliminate the unknown reflectance spectrum of the reference mirror. The method was successfully tested on a SiO2 thin film on different B- and P-doped Si substrates. The obtained reflectance spectra were compared with the theoretical model.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Development of Materials Science in Research and Education, Proceedings of the 18th Joint Seminar
ISBN
978-80-254-0864-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
—
Název nakladatele
Czechoslovak Association for Crystal Growth (CSACG)
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Hnanice
Datum konání akce
2. 9. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—