Propagation of surface waves formed at the interface between hyperbolic metamaterial and highly doped semiconductor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27640%2F16%3A86098072" target="_blank" >RIV/61989100:27640/16:86098072 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11082-016-0523-0" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s11082-016-0523-0</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11082-016-0523-0" target="_blank" >10.1007/s11082-016-0523-0</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Propagation of surface waves formed at the interface between hyperbolic metamaterial and highly doped semiconductor

Popis výsledku v původním jazyce

We provide an analysis of surface-wave propagation at a boundary between a semiconductor and a multilayered hyperbolic metamaterial. In particular we analyzed the structure dispersion for various cases of a hyperbolic metamaterial. It is concluded that one can tune the frequency range of surface waves by varying the thickness of dielectric sheets. It is also shown that this frequency range can be broadened by decreasing the thickness of the dielectric in the metal-dielectric compound or by increasing the doping concentration of the semiconductor.

Název v anglickém jazyce

Propagation of surface waves formed at the interface between hyperbolic metamaterial and highly doped semiconductor

Popis výsledku anglicky

We provide an analysis of surface-wave propagation at a boundary between a semiconductor and a multilayered hyperbolic metamaterial. In particular we analyzed the structure dispersion for various cases of a hyperbolic metamaterial. It is concluded that one can tune the frequency range of surface waves by varying the thickness of dielectric sheets. It is also shown that this frequency range can be broadened by decreasing the thickness of the dielectric in the metal-dielectric compound or by increasing the doping concentration of the semiconductor.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED1.1.00%2F02.0070" target="_blank" >ED1.1.00/02.0070: Centrum excelence IT4Innovations</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Optical And Quantum Electronics

ISSN

0306-8919

e-ISSN

—

Svazek periodika

48

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000372264500016

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84961241357