In-situ Mueller matrix ellipsometry of silicon nanowires grown by plasma-enhanced vapor-liquid-solid method for radial junction solar cells
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27640%2F17%3A10236967" target="_blank" >RIV/61989100:27640/17:10236967 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61989100:27740/17:10236967
Výsledek na webu
<a href="https://ac.els-cdn.com/S0169433216329312/1-s2.0-S0169433216329312-main.pdf?_tid=d1aa9fc0-fb8e-11e7-b243-00000aacb35f&acdnat=1516197828_27d891081ea7385821a0b24a55893424" target="_blank" >https://ac.els-cdn.com/S0169433216329312/1-s2.0-S0169433216329312-main.pdf?_tid=d1aa9fc0-fb8e-11e7-b243-00000aacb35f&acdnat=1516197828_27d891081ea7385821a0b24a55893424</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.12.199" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2016.12.199</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
In-situ Mueller matrix ellipsometry of silicon nanowires grown by plasma-enhanced vapor-liquid-solid method for radial junction solar cells
Popis výsledku v původním jazyce
In-situ Mueller matrix spectroscopic ellipsometry was applied for monitoring the silicon nanowire growth by plasma-enhanced vapor-liquid-solid method. The technique is proposed as a real-time, non-destructive, and non-invasive characterization of the deposition process in a plasma-enhanced chemical vapor deposition reactor. The data have been taken by spectrally resolved Mueller matrix ellipsometer every 1 min during the 8-10 min long nanowire growth process. We have developed an easy-to-apply optical model to fit the experimental data, which enables to study the evolution of the parameters of the structure during initial stages of the growth. The first results provide information about the effective deposition rate determined from the linear increase of the deposited silicon volume with the deposition time.
Název v anglickém jazyce
In-situ Mueller matrix ellipsometry of silicon nanowires grown by plasma-enhanced vapor-liquid-solid method for radial junction solar cells
Popis výsledku anglicky
In-situ Mueller matrix spectroscopic ellipsometry was applied for monitoring the silicon nanowire growth by plasma-enhanced vapor-liquid-solid method. The technique is proposed as a real-time, non-destructive, and non-invasive characterization of the deposition process in a plasma-enhanced chemical vapor deposition reactor. The data have been taken by spectrally resolved Mueller matrix ellipsometer every 1 min during the 8-10 min long nanowire growth process. We have developed an easy-to-apply optical model to fit the experimental data, which enables to study the evolution of the parameters of the structure during initial stages of the growth. The first results provide information about the effective deposition rate determined from the linear increase of the deposited silicon volume with the deposition time.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Surface Science
ISSN
0169-4332
e-ISSN
—
Svazek periodika
421
Číslo periodika v rámci svazku
1 November 2017
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
667-673
Kód UT WoS článku
000408756700063
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85012022755