Quasistatic Equilibrium Chemical Vapor Deposition of Graphene
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27710%2F21%3A10248492" target="_blank" >RIV/61989100:27710/21:10248492 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000720738600001" target="_blank" >https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000720738600001</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/admi.202101500" target="_blank" >10.1002/admi.202101500</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Quasistatic Equilibrium Chemical Vapor Deposition of Graphene
Popis výsledku v původním jazyce
This study reviews the majorly used chemical vapor deposition (CVD) with a focus on confined reaction configurations in which quasistatic equilibrium conditions are obtained for the fabrication of graphene with large size and high quality through controlled nucleation density, feedstock flux, and growth rates. The confinement configurations can also be used to tune the thickness, domain size and shape, and stacking order of the synthetic graphene. The confined CVD reaction configurations discussed include enclosure systems, inner-tube setups, sandwiched substrates, as well as other types of configurations. The advantages and limitations of the different confinement configurations are presented, along ways to optimize the operational parameters for them.
Název v anglickém jazyce
Quasistatic Equilibrium Chemical Vapor Deposition of Graphene
Popis výsledku anglicky
This study reviews the majorly used chemical vapor deposition (CVD) with a focus on confined reaction configurations in which quasistatic equilibrium conditions are obtained for the fabrication of graphene with large size and high quality through controlled nucleation density, feedstock flux, and growth rates. The confinement configurations can also be used to tune the thickness, domain size and shape, and stacking order of the synthetic graphene. The confined CVD reaction configurations discussed include enclosure systems, inner-tube setups, sandwiched substrates, as well as other types of configurations. The advantages and limitations of the different confinement configurations are presented, along ways to optimize the operational parameters for them.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20400 - Chemical engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EF16_019%2F0000853" target="_blank" >EF16_019/0000853: Institut environmentálních technologií - excelentní výzkum</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Advanced Materials Interfaces
ISSN
2196-7350
e-ISSN
—
Svazek periodika
Neuveden.
Číslo periodika v rámci svazku
November
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
16
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000720738600001
EID výsledku v databázi Scopus
—