The Properties of SiC in Comparison with Si Semiconductor Devices

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27730%2F13%3A86086623" target="_blank" >RIV/61989100:27730/13:86086623 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Properties of SiC in Comparison with Si Semiconductor Devices
Popis výsledku v původním jazyce
The SiC ? silicon carbide MOSFET has exclusive features thanks its become better switch than Si ? silicon semiconductor switch. There are some special features that need to be understood for use to in full devices potential. The advantages and differences of SiC MOSFETs have been described in this article in compare with Si IGBT transistor.
Název v anglickém jazyce
The Properties of SiC in Comparison with Si Semiconductor Devices
Popis výsledku anglicky
The SiC ? silicon carbide MOSFET has exclusive features thanks its become better switch than Si ? silicon semiconductor switch. There are some special features that need to be understood for use to in full devices potential. The advantages and differences of SiC MOSFETs have been described in this article in compare with Si IGBT transistor.

Projekt
<a href="/cs/project/EE2.3.30.0055" target="_blank" >EE2.3.30.0055: Nové kreativní týmy v prioritách vědeckého bádání</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
2013 International Conference on Applied Electronics : Pilsen, 10-12 September 2013
ISBN
978-80-261-0166-6
ISSN
1803-7232
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
309-312
Název nakladatele
University of West Bohemia in Pilsen
Místo vydání
Pilsen
Místo konání akce
Plzeň
Datum konání akce
10. 9. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)