Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Lokální oxidační litografie na křemíkovém waferu

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989592%3A15310%2F12%3A33139088" target="_blank" >RIV/61989592:15310/12:33139088 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Lokální oxidační litografie na křemíkovém waferu

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Lokální anodická oxidace je metoda umožňující změnu povrchu (polo)vodivého vzorku za běžných laboratorních podmínek. Jediným požadavkem na prostředí je zvýšená relativní vlhkost vzduchu v blízkém okolí vzorku. Velikost oxidační stopy je ovlivněna především ostrostí použitého hrotu, ale i dalšími parametry. Výška stopy a její spojitost je nepřímo závislá na rychlosti posuvu hrotu při zápisu. Ukazuje se, že samotné nastavení podmínek systémiu je méně problematické než vzorek samotný. V případě křemíkovéhomateriálu dochází k vytváření nativní oxidační vrstvy na povrchu materiálu. Tím je znemožněna tvorba další oxidační stopy.

  • Název v anglickém jazyce

    Local anodic oxidation on silicon wafer

  • Popis výsledku anglicky

    Local anodic oxidation lithography is a method that can change the surface of (semi)conductive sample i routine laboratory conditions. Increased humidity in the near vicinity of the sample is the only requirement. Mainly the tip sharpness but also many other parameters indicate the size of oxidation trace. Height and smooth of the trace is inversely proportional to the speed. It turns out that set up of the system is less problematic than the sample itself. In the case of silicon, easy oxidation prohibits the formation of intended oxide layer by local oxidation.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JJ - Ostatní materiály

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Jemná mechanika a optika

  • ISSN

    0447-6441

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    57

  • Číslo periodika v rámci svazku

    7-8

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    202-205

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus