Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Role of the tip induced local anodic oxidation in the conductive atomic force microscopy of mixed phase silicon thin films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00347762" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00347762 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Role of the tip induced local anodic oxidation in the conductive atomic force microscopy of mixed phase silicon thin films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We show that local currents observed by the Conductive Atomic Force Microscopy (C-AFM) of silicon thin films measured in ambient atmosphere are generally limited by surface oxide, either native or created by the measurement itself in a process of Local Anodic Oxidation (LAO), as evidenced by observed topographic changes of Si surface. The tip-induced LAO changes the character of the local current maps in repeated scans or even in the first scan of a pristine surface. In particular, the oxidation of theneighboring scan lines leads to the appearance of grain edges as conductive rings. Finally, we have used brief HF acid etch to strip the oxide in order to restore the contrast in the C-AFM maps of aged samples and we compare the observed local current levels to those observed in ultra-high vacuum C-AFM on in-situ deposited samples.

  • Název v anglickém jazyce

    Role of the tip induced local anodic oxidation in the conductive atomic force microscopy of mixed phase silicon thin films

  • Popis výsledku anglicky

    We show that local currents observed by the Conductive Atomic Force Microscopy (C-AFM) of silicon thin films measured in ambient atmosphere are generally limited by surface oxide, either native or created by the measurement itself in a process of Local Anodic Oxidation (LAO), as evidenced by observed topographic changes of Si surface. The tip-induced LAO changes the character of the local current maps in repeated scans or even in the first scan of a pristine surface. In particular, the oxidation of theneighboring scan lines leads to the appearance of grain edges as conductive rings. Finally, we have used brief HF acid etch to strip the oxide in order to restore the contrast in the C-AFM maps of aged samples and we compare the observed local current levels to those observed in ultra-high vacuum C-AFM on in-situ deposited samples.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics

  • ISSN

    1862-6351

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    7

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3-4

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus