Lithography on GaMnAs layer by AFM local anodic oxidation in the AC mode

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00167197" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00167197 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Lithography on GaMnAs layer by AFM local anodic oxidation in the AC mode

Popis výsledku v původním jazyce

The results on the local anodic oxidation (LAO) by conductive coated tip of an atomic force microscope (AFM) are presented. AFM LAO with modulated voltage (AC mode) on thin GaMnAs layer is performed. Oxide lines produce potential barrier capable to makenarrow constrictions for charge carriers. Oxide line height dependence on various parameters of the oxidation process is studied. Improvement in the homogeneity and reproducibility of oxide lines is observed. Lines up to 30 nm high are obtained. Magnetotransport measurement on constricted samples is realized.

Název v anglickém jazyce

Lithography on GaMnAs layer by AFM local anodic oxidation in the AC mode

Popis výsledku anglicky

The results on the local anodic oxidation (LAO) by conductive coated tip of an atomic force microscope (AFM) are presented. AFM LAO with modulated voltage (AC mode) on thin GaMnAs layer is performed. Oxide lines produce potential barrier capable to makenarrow constrictions for charge carriers. Oxide line height dependence on various parameters of the oxidation process is studied. Improvement in the homogeneity and reproducibility of oxide lines is observed. Lines up to 30 nm high are obtained. Magnetotransport measurement on constricted samples is realized.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/KAN400100652" target="_blank" >KAN400100652: Struktury pro spintroniku a kvantové jevy v nanoelektronice vytvořené elektronovou litografií</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Microelectronic Engineering

ISSN

0167-9317

e-ISSN

—

Svazek periodika

87

Číslo periodika v rámci svazku

5-8

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000276300700096

EID výsledku v databázi Scopus

—