AFM LOCAL ANODIC OXIDATION ON GRAPHENE

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00200400" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00200400 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.nanocon.cz/cz/" target="_blank" >http://www.nanocon.cz/cz/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

AFM LOCAL ANODIC OXIDATION ON GRAPHENE

Popis výsledku v původním jazyce

Graphene is extensively studied attractive material for its remarkable electronic and mechanical properties. Local anodic oxidation (LAO) by means of atomic force microscope (AFM) with a conductive tip is a method used for device patterning in the nanometer scale at laboratory conditions. It represents a clean alternative to up-to-date nano-lithographic techniques as electron beam lithography (EBL) and nanoimprint lithography (NIL). Oxidation reaction between the tip and a conductive substrate creates an oxide line, which acts as a potential barrier. It enables to make narrow constrictions of 20 nm in width. We applied LAO on single-layer graphene CVD grown on copper foil and graphene grown on SiC prepared by high temperature annealing. Under optimum conditions for LAO the graphene oxide is created. The thickness of the oxide line depends on various parameters e.g. a tip bias, speed of the tip and ambient relative humidity.

Název v anglickém jazyce

AFM LOCAL ANODIC OXIDATION ON GRAPHENE

Popis výsledku anglicky

Graphene is extensively studied attractive material for its remarkable electronic and mechanical properties. Local anodic oxidation (LAO) by means of atomic force microscope (AFM) with a conductive tip is a method used for device patterning in the nanometer scale at laboratory conditions. It represents a clean alternative to up-to-date nano-lithographic techniques as electron beam lithography (EBL) and nanoimprint lithography (NIL). Oxidation reaction between the tip and a conductive substrate creates an oxide line, which acts as a potential barrier. It enables to make narrow constrictions of 20 nm in width. We applied LAO on single-layer graphene CVD grown on copper foil and graphene grown on SiC prepared by high temperature annealing. Under optimum conditions for LAO the graphene oxide is created. The thickness of the oxide line depends on various parameters e.g. a tip bias, speed of the tip and ambient relative humidity.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP108%2F11%2F0894" target="_blank" >GAP108/11/0894: Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku</a><br>

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Nanocon 2012

ISBN

978-80-87249-32-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

TANGER, spol.s r.o

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

23. 10. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—