Litografie vrstev GaMnAs pomocí AFM

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A03151135" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:03151135 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/09:00151135

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The AFM LAO lithography on GaMnAs layers

Popis výsledku v původním jazyce

atomic force microscope (AFM). These oxide lines, produced by the negatively biased AFM tip, formed the electrical barrier to the conducting holes in the layer. The constricted samples were characterized at low temperature (12 K). They showed magnetoresistance effect specific for nanoconstrictions during in-plane magnetic field sweep in both polarities for the different mutual orientation of magnetic field and current. The LAO appears to become a useful patterning technique for research of ferromagneticsemiconductor nanostructures. Further optimization of LAO parameters for reaching better homogeneity of the oxide lines is needed.

Název v anglickém jazyce

The AFM LAO lithography on GaMnAs layers

Popis výsledku anglicky

atomic force microscope (AFM). These oxide lines, produced by the negatively biased AFM tip, formed the electrical barrier to the conducting holes in the layer. The constricted samples were characterized at low temperature (12 K). They showed magnetoresistance effect specific for nanoconstrictions during in-plane magnetic field sweep in both polarities for the different mutual orientation of magnetic field and current. The LAO appears to become a useful patterning technique for research of ferromagneticsemiconductor nanostructures. Further optimization of LAO parameters for reaching better homogeneity of the oxide lines is needed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Microelectronic Engineering

ISSN

0167-9317

e-ISSN

—

Svazek periodika

86

Číslo periodika v rámci svazku

4-6

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—