Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Comment on "Current routes in hydrogenated microcrystalline silicon"

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00355032" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00355032 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Comment on "Current routes in hydrogenated microcrystalline silicon"

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We show that local currents observed by the conductive atomic force microscopy (C-AFM) of silicon thin films measured in ambient atmosphere are generally limited by surface oxide, either native or created by the measurement itself in a process of local anodic oxidation. The tip-induced oxidation changes character of the local current maps, either in repeated scans or even in the first scan of a pristine surface. In particular, the preoxidation of the neighboring scan lines leads to the appearance of grain edges as conductive rings, previously interpreted as an evidence of the main transport route at the grain boundaries in microcrystalline silicon. We also show that stripping of the surface oxide by HF etch restores the local currents to the values corresponding to C-AFM done in ultra-high-vacuum on in situ deposited samples.

  • Název v anglickém jazyce

    Comment on "Current routes in hydrogenated microcrystalline silicon"

  • Popis výsledku anglicky

    We show that local currents observed by the conductive atomic force microscopy (C-AFM) of silicon thin films measured in ambient atmosphere are generally limited by surface oxide, either native or created by the measurement itself in a process of local anodic oxidation. The tip-induced oxidation changes character of the local current maps, either in repeated scans or even in the first scan of a pristine surface. In particular, the preoxidation of the neighboring scan lines leads to the appearance of grain edges as conductive rings, previously interpreted as an evidence of the main transport route at the grain boundaries in microcrystalline silicon. We also show that stripping of the surface oxide by HF etch restores the local currents to the values corresponding to C-AFM done in ultra-high-vacuum on in situ deposited samples.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review. B

  • ISSN

    1098-0121

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    81

  • Číslo periodika v rámci svazku

    23

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus