Room temperature quantum Hall effect in q-formalism
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F62690094%3A18470%2F22%3A50019305" target="_blank" >RIV/62690094:18470/22:50019305 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://link.springer.com/article/10.1140/epjp/s13360-022-02831-3" target="_blank" >https://link.springer.com/article/10.1140/epjp/s13360-022-02831-3</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1140/epjp/s13360-022-02831-3" target="_blank" >10.1140/epjp/s13360-022-02831-3</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Room temperature quantum Hall effect in q-formalism
Popis výsledku v původním jazyce
We consider the quantum Hall effect (QHE) in q-formalism and obtain its spectrum in thermal non-equilibrium conditions (TNEQ). Moreover, we calculate the electrical potential for QHE using the density probability current in TNEQ. We find that the geometric region q < 1 can explain the Landau energy gap on graphene-based materials for the room temperature quantum Hall effect (RTQHE), while the geometric region q >= 1 describes the ordinary quantum Hall effect close to absolute zero temperature. To satisfy Tsallis conditions, we present two separate integral bounds for partition function to calculate the integrals in QHE and RTQHE cases. We geometrically prove that the magnitude of the Hall potentials depends on the q-region (i.e., vertical bar(V-H((q>1))vertical bar > vertical bar V-H((q=1))vertical bar > vertical bar V-H((q<1))vertical bar). Our method may be applied to analyze new electronic devices based on graphene in TNEQ.
Název v anglickém jazyce
Room temperature quantum Hall effect in q-formalism
Popis výsledku anglicky
We consider the quantum Hall effect (QHE) in q-formalism and obtain its spectrum in thermal non-equilibrium conditions (TNEQ). Moreover, we calculate the electrical potential for QHE using the density probability current in TNEQ. We find that the geometric region q < 1 can explain the Landau energy gap on graphene-based materials for the room temperature quantum Hall effect (RTQHE), while the geometric region q >= 1 describes the ordinary quantum Hall effect close to absolute zero temperature. To satisfy Tsallis conditions, we present two separate integral bounds for partition function to calculate the integrals in QHE and RTQHE cases. We geometrically prove that the magnitude of the Hall potentials depends on the q-region (i.e., vertical bar(V-H((q>1))vertical bar > vertical bar V-H((q=1))vertical bar > vertical bar V-H((q<1))vertical bar). Our method may be applied to analyze new electronic devices based on graphene in TNEQ.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10303 - Particles and field physics
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
The European physical journal plus
ISSN
2190-5444
e-ISSN
—
Svazek periodika
137
Číslo periodika v rámci svazku
6
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
"Article Number: 655"
Kód UT WoS článku
000805779400001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85131631472