Ga 1-x In x SB-MOVPE growth and thermodynamic model.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F01%3A13010091" target="_blank" >RIV/67985882:_____/01:13010091 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ga 1-x In x SB-MOVPE growth and thermodynamic model.

Popis výsledku v původním jazyce

The aim of this work was to prepare good-quality Ga 1-x In x Sb ternary laeyrs using MOVPE growth. The quality of the layer surfaces was inspected by atomic force microscopy. The experimental results obtained were compared with the calculated depositiondiagrams. The composition of grown ternary layers was determined using x-ray microanalysis. Dependence of the solid-phase composition on the gaseous-phase composition in the system was compared with the calculated results on the bases of the thermodynamic model.

Název v anglickém jazyce

Ga 1-x In x SB-MOVPE growth and thermodynamic model.

Popis výsledku anglicky

The aim of this work was to prepare good-quality Ga 1-x In x Sb ternary laeyrs using MOVPE growth. The quality of the layer surfaces was inspected by atomic force microscopy. The experimental results obtained were compared with the calculated depositiondiagrams. The composition of grown ternary layers was determined using x-ray microanalysis. Dependence of the solid-phase composition on the gaseous-phase composition in the system was compared with the calculated results on the bases of the thermodynamic model.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F98%2FP254" target="_blank" >GA202/98/P254: Příprava a charakterizace polovodičových epitaxních MOVPE vrstev a struktur na bázi GaSb</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

16

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

759-762

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—