Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Termodynamické modelování růstu AlGaInN metodou MOVPE

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F04%3A00011545" target="_blank" >RIV/60461373:22310/04:00011545 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60461373:22310/04:00011546 RIV/60461373:22340/04:00011142

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Thermodynamic modeling of AlGaInN growth by MOVPE

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A detailed thermodynamic analysis of the system Al-Ga-In-N-C-H was performed using the Gibbs energy minimization method. The multicomponent gaseous phase, ternary liquid alloy of AIII elements, solid solution of AIII nitrides as well as graphite and Al4C3 were included into the calculation. The influence of the initial conditions, namely temperature, pressure and input gas phase composition, on the equilibrium composition of this system was in view. On the basis of the concept of local equilibrium between the growing layer and the gaseous phase in its close vicinity, the calculated results were used to optimize deposition parameters for MOVPE growth of (Al,Ga,In)N epitaxial layers.

  • Název v anglickém jazyce

    Thermodynamic modeling of AlGaInN growth by MOVPE

  • Popis výsledku anglicky

    A detailed thermodynamic analysis of the system Al-Ga-In-N-C-H was performed using the Gibbs energy minimization method. The multicomponent gaseous phase, ternary liquid alloy of AIII elements, solid solution of AIII nitrides as well as graphite and Al4C3 were included into the calculation. The influence of the initial conditions, namely temperature, pressure and input gas phase composition, on the equilibrium composition of this system was in view. On the basis of the concept of local equilibrium between the growing layer and the gaseous phase in its close vicinity, the calculated results were used to optimize deposition parameters for MOVPE growth of (Al,Ga,In)N epitaxial layers.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BJ - Termodynamika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA104%2F03%2F0387" target="_blank" >GA104/03/0387: Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal Cryst.Growth

  • ISSN

    0022-0248

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    167

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1-2

  • Stát vydavatele periodika

    BE - Belgické království

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    8-16

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus