Charakterizace dvojité tunelové bariérové InAs/AlSb heterostruktury pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie s bázovou InAs elektrodou
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F03%3A00105871" target="_blank" >RIV/67985882:_____/03:00105871 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode
Popis výsledku v původním jazyce
The characterization of InAs/AlSb double tunnel barrier heterostructure with the well thickness of 12nm and symmetric barrier thickness of 2nm by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy is presented. For the measurements the top InAs layer ofheterostructure is used as the base electrode.
Název v anglickém jazyce
Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode
Popis výsledku anglicky
The characterization of InAs/AlSb double tunnel barrier heterostructure with the well thickness of 12nm and symmetric barrier thickness of 2nm by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy is presented. For the measurements the top InAs layer ofheterostructure is used as the base electrode.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/KSK1010104" target="_blank" >KSK1010104: Fyzika kondenzovaných systémů a materiálový výzkum</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002
ISBN
3-527-40436-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
986-991
Název nakladatele
WileyVCH Verlag
Místo vydání
Weinheim
Místo konání akce
Budapest
Datum konání akce
26. 5. 2002
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—