Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F03%3A13030017" target="_blank" >RIV/67985882:_____/03:13030017 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode.
Popis výsledku v původním jazyce
The characterization of InAs/AlSb double tunnel barrier heterostructure with the well thickness of 12nm and symmetric barrier thickness of 2nm by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy is presented. For the measurements the top InAs layer ofheterostructure is used as the base electrode.
Název v anglickém jazyce
Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode.
Popis výsledku anglicky
The characterization of InAs/AlSb double tunnel barrier heterostructure with the well thickness of 12nm and symmetric barrier thickness of 2nm by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy is presented. For the measurements the top InAs layer ofheterostructure is used as the base electrode.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/KSK1010104" target="_blank" >KSK1010104: Fyzika kondenzovaných systémů a materiálový výzkum</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)