Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Optická charakterizace ?-InAs vrstev vypěstovaných pomocí MOVPE v GaAs

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00023559" target="_blank" >RIV/68378271:_____/05:00023559 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Optical characterization of MOVPE grown ?-InAs layers in GaAs

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Optical properties of various MOVPE grown structures containing InAs ?-layers in GaAs were investigated by photoluminescence, photocurrent and photomodulated reflectance spectroscopy. observed ground and high-order interband transitions were interpretedby simulation of electric states in InAs ?-layers using the theoretical model accounnting for influence of stress and quantum states coupling.It is shown, that material parameters crucial for optimization and growth control of InAs ?-layers structures, such as equivalent layer thickness/compositions, can be extracted from obtained optical data

  • Název v anglickém jazyce

    Optical characterization of MOVPE grown ?-InAs layers in GaAs

  • Popis výsledku anglicky

    Optical properties of various MOVPE grown structures containing InAs ?-layers in GaAs were investigated by photoluminescence, photocurrent and photomodulated reflectance spectroscopy. observed ground and high-order interband transitions were interpretedby simulation of electric states in InAs ?-layers using the theoretical model accounnting for influence of stress and quantum states coupling.It is shown, that material parameters crucial for optimization and growth control of InAs ?-layers structures, such as equivalent layer thickness/compositions, can be extracted from obtained optical data

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi C: conferences and critical reviews

  • ISSN

    1610-1634

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    2

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1319-1324

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus