Optická charakterizace InAs delta-vrstev v GaAs připravených MOVPE technologií

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00104218" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00104218 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical characterization of MOVPE grown .delta. -InAs layers in GaAs

Popis výsledku v původním jazyce

Simultaneous application of three optical methods photoluminescence, photocurrent and photoreflectance spectroscopy for characterization of MOVPE grown InAs .delta.-layers forming single-quantum wells, double-quantum wells and multi-quantum in GaAs. Evaluation and interpretation of measured optical transitions is based on simulation of electronic states in .delta.-layers

Název v anglickém jazyce

Optical characterization of MOVPE grown .delta. -InAs layers in GaAs

Popis výsledku anglicky

Simultaneous application of three optical methods photoluminescence, photocurrent and photoreflectance spectroscopy for characterization of MOVPE grown InAs .delta.-layers forming single-quantum wells, double-quantum wells and multi-quantum in GaAs. Evaluation and interpretation of measured optical transitions is based on simulation of electronic states in .delta.-layers

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

EXMATEC 2004

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

73-74

Název nakladatele

Centre National de la Recherche Scientifique

Místo vydání

Montpellier

Místo konání akce

Montpellier

Datum konání akce

1. 6. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—