Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Spektroskopická elipsometrie anodizační vrstvy na vrstvě monokrystalu InAsSb připravené epitaxí z taveniny

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27350%2F08%3A00019796" target="_blank" >RIV/61989100:27350/08:00019796 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Spectroscopic ellipsometry of anodized layer on single crystal InAsSb layer grown by melt epitaxy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Anodized layers on InAsSb, InSb, and InAs surfaces are characterized using phase modulation spectroscopic ellipsometry in a wide spectral range from 0.6 to 6.5 eV. Single crystal InAs0.04Sb0.94 layer was grown using melt-epitaxy (ME). Optical propertiesof anodized layer prepared on InAsSb single crystal are compared with those on pure single crystals of InAs and InSb. Ellipsometric spectra of were fitted to the Tauc-Lorentz model describing the anodizing layer optical functions. Clear tendency of ultraviolet shift of the band gap energy with decreasing antimony content is observed.

  • Název v anglickém jazyce

    Spectroscopic ellipsometry of anodized layer on single crystal InAsSb layer grown by melt epitaxy

  • Popis výsledku anglicky

    Anodized layers on InAsSb, InSb, and InAs surfaces are characterized using phase modulation spectroscopic ellipsometry in a wide spectral range from 0.6 to 6.5 eV. Single crystal InAs0.04Sb0.94 layer was grown using melt-epitaxy (ME). Optical propertiesof anodized layer prepared on InAsSb single crystal are compared with those on pure single crystals of InAs and InSb. Ellipsometric spectra of were fitted to the Tauc-Lorentz model describing the anodizing layer optical functions. Clear tendency of ultraviolet shift of the band gap energy with decreasing antimony content is observed.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/KAN400100653" target="_blank" >KAN400100653: Samoorganizované magnetické nanostruktury</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    physica status solidi (c) - current topics in solid state physics

  • ISSN

    1610-1634

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    5

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus