High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F03%3A13030099" target="_blank" >RIV/67985882:_____/03:13030099 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
Popis výsledku v původním jazyce
Crystals of intentionally undoped n-type InP and Mn doped p-type InP were grown by Czochralski technique. The as grown crystals and those processed by high temperature long time annealing were studied by low temperature photoluminescence and temperaturedependent Hall measurements. A new broad band was observed in those undoped InP samples which were converted to semi-insulating state by annealing.
Název v anglickém jazyce
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
Popis výsledku anglicky
Crystals of intentionally undoped n-type InP and Mn doped p-type InP were grown by Czochralski technique. The as grown crystals and those processed by high temperature long time annealing were studied by low temperature photoluminescence and temperaturedependent Hall measurements. A new broad band was observed in those undoped InP samples which were converted to semi-insulating state by annealing.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/KSK1010104" target="_blank" >KSK1010104: Fyzika kondenzovaných systémů a materiálový výzkum</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)